★学习及工作经历

2009.09—2014.07武汉大学物理科学与技术学院，粒子物理与原子核物理专业“1+4”硕博连读，获理学博士学位；

2010.03—2012.08东国大学（韩国）纳米信息科学技术系，智能发光与显示专业学习，获理学硕士学位；

2014.07—2016.12 纽约国际上网导航 讲师；

2016,12-2021.12 纽约国际上网导航.副教授；

2021.12至今 纽约国际上网导航.教授。

★获奖情况

1.山西省“三晋英才”

2.2014年11月获湖北省第十五届自然科学优秀学术论文二等奖

3.Graphene synthesis on SiC: Reduced graphitization temperature by C-cluster and Ar-ion implantation，山西省科学技术厅，第十九届山西省优秀论文，三等奖，2018

4.2021年10月获第十八届全国荷电粒子源粒子束学术会议优秀论文三等奖

5.太原科技大学年度“优秀青年教师”（2020年）

★指导学生竞赛情况

1.指导大学生创新创业大赛互联网+获三等奖（2019年），唯一指导教师

2.山西省省级大学生创新创业项目，2019368，《离子注入法制备硅量子点及其发光特性研究》（2019年）结题，唯一指导教师

★课题与项目

1.山西省自然科学基金面上项目，20210302123221，团簇离子束辐照钙钛矿量子点光子阻变存储器稳定性增强及阻变机制研究，2022/01-2024/12，8万元，在研，主持。

2.山西省高等学校科技创新项目，2020L0335，钙钛矿量子点光子阻变存储器稳定性调控及阻变机制研究，2020/08 -2022/08，3万元，在研，主持。

3.国家自然科学基金青年科学基金项目，11705124，基于可控硅纳米晶的光控阻变存储器调控机制研究，2018.01-2020.12，25万元，结题，主持。

4.国家自然科学基金应急管理项目，11647037，低温制备石墨烯/碳化硅FET器件的理论模拟研究，2017/01- 2017/12，5万元，结题，主持。

5.山西省自然科学基金青年项目，201601D021023，团簇离子束混合技术制备石墨烯/碳化硅FET器件，2016/01-2018/12，3万元，结题，主持。

6.山西省高等学校科技创新项目，2016166，高温原位离子注入碳化硅制备石墨烯FET器件，2016/06-2018/06，2万元，结题，主持。

7.校博士启动金，20152004，离子注入碳化硅降低合成石墨烯的温度，2015/01-2018/12，5万元，结题，主持。

★专著

1.张瑞；离子注入法制备石墨烯，中国原子能出版社。251千字，2019.

★专利

1.发明：张瑞;王进斌;袁耀欣;张建峰；一种基于离子束辐照提高钙钛矿量子点稳定性的方法，2020-01-14，中国，201910918926.12.

2.发明：张瑞；陈刚；张建峰；刘海运；张力夫；吕泽华；基于钙钛矿量子点的荧光加密防伪油墨及制备方法，受理，中国，202210405295.5

3.实用新型：张瑞，刘海运，陈刚，张力夫，吕泽华；钙钛矿量子点阻变存储器，授权，中国，202221878920.X

★发表论文

1.R. Zhang*, A. Yan, H. Liu, Z. Liu, M. Hong, Z. Qin, W. Ren, Z. Jiang, M. Li, J. C. Ho, P. Guo*, Biocompatible Perovskite Nanocrystals with Enhanced Stability for White Light-Emitting Diodes, ACS Applied Materials & Interfaces, 16,34167-34180（2024）.

2.X. Song, Z. Xu, B. Gao, X. Li, Q. Lv, R. Zhang*, B. Wang, H. Zhang, P. Guo*, J.C. Ho, Red–Green–Blue Light Emission from Composition Tunable Semiconductor Micro‐Tripods, Adv. Funct. Mater., 2403135 (2024).

3.Rui Zhang, Zaodi Zhang, Zesong Wang, Shixu Wang, Wei Wang, Dejun Fu and Jiarui Liu, Nonlinear damage effect in graphene synthesis by C-cluster ion implantation, Appl. Phys. Lett.101, 011905 (2012). (IF：3.791，被引 20次)

4.R. Zhang, Z. S. Wang, Z. D. Zhang, Z. G. Dai, L. L. Wang, H. Li, L. Zhou, Y. X. Shang, J. He, D. J. Fu, and J. R. Liu. Direct graphene synthesis on SiO₂/Si substrate by ion implantation, Appl. Phys. Lett.102, 193102 (2013) (IF：3.791，)

5.R. Zhang, Sh. U. Yuldashev, J.C. Lee, V. Sh. Yalishev, T.W. Kang, D.J. Fu, Memristive behavior of ZnO/NiO stacked heterostructure, Microelectron. Eng. 112, 31 (2013) (IF：2.523)

6.R. Zhang^*, Y. Yuan, J. Li, Z. Qin, Q. Zhang, B. Xiong, Z. Wang, F. Chen, X. Du, W. Yang, Ni and K ion doped CsPbX₃ NCs for the improvement of luminescence properties by a facile synthesis method in ambient air, J. Lumin., 221, 117044 (2020). (IF：3.599)

7.Rui Zhang^*, Yaoxin Yuan, Jianfeng Zhang, Wenbin Zuo, Yi Zhou, Xinli Gao, Wei Wang, Zhenxing Qin, Qingmei Zhang, Fenghua Chen, Xiujuan Du, and Jinhong Li, A light-influenced memristor based on Si nanocrystals by ion implantation technique，J. Mater. Sci., 56, 3 (2021). (IF：4.22)

8.R. Zhang^*, Y. Yuan, J. Zhang, H. Liu, G. Chen, K. Li, M. Hong, W. Zuo, C. Wang, W. Yang^*, Z. Qin, Improving the Mn²⁺ emission and stability of CsPb(Cl/Br)₃ nanocrystals by Ni²⁺ doping in ambient air, J. Mater. Sci., 56, 7494-7507 (2021). (IF：4.22)

9.Rui Zhang, Fenghua Chen, Jinbin Wang, Dejun Fu, Transfer-free synthesis of graphene-like atomically thin carbon films on SiC by ion beam mixing technique, Nucl. Instrum. Methods. Phys. Res. B, 418, 27 (2018) (IF：1.377)

10.Rui Zhang^*, Gang Chen, Haiyun Liu , Jianfeng Zhang, Yaoxin Yuan, Zehua Lv, Lifu Zhang, Chunlan Wang, Zhenxing Qin, Wen Yang^*, Jinbin Wang, Synergetic effects of the co-doping transition metal ions and the silica-shell coating for enhancing the photoluminescence and stability of Mn: CsPbCl₃ nanocrystals and their application, Opt. Mater., 135, 113308 (2023)

11.R. Zhang, H. Li, Z.D. Zhang, Z.S. Wang, S.Y. Zhou, Z. Wang, T.C. Li, J.R. Liu, D. J. Fu, Graphene synthesis on SiC: Reduced graphitization temperature by C-cluster and Ar-ion implantation, Nucl. Instrum. Methods. Phys. Res. B, 356, 99 (2015) (IF：1.377)